하이닉스, 낸드플래시 3위자리 '위태'

낸드플래시메모리 3위 자리를 굳건히 지켰던 국내 하이닉스반도체의 1분기 시장 점유율이 크게 줄어든 것으로 나타났다.

19일 아이서플라이, IDC 등 시장조사기관에 따르면 1분기 하이닉스의 낸드플래시 시장 점유율이 전 분기 대비 3%포인트 이상 줄어든 것으로 나타났다.

반면 인텔과 마이크론테크놀로지의 합작사 IMFT는 점유율을 적잖이 늘리며 3위 자리를 노리고 있는 것으로 나타났다.

아이서플라이 집계에서 1분기 낸드플래시 시장 점유율은 삼성전자가 42%, 일본 도시바가 27.3%로 1~2위 자리를 공고히 했다. 반면 하이닉스는 매출이 전 분기 7억5천만달러에서 5억2천만달러로 줄어 점유율이 18.6%에서 15%로 감소했다.

마이크론과 인텔을 합친 IMFT는 매출변동이 거의 없는 가운데 점유율이 10.9%에서 12.6%로 늘어났다.

IDC 집계에서도 하이닉스 매출은 전 분기 대비 32.5% 감소했고, 점유율은 17.6%에서 14%로 줄어들었다. 마이크론과 인텔은 동반 매출 증가세를 시현해 합계 점유율이 15.5%로 오히려 하이닉스를 뛰어넘은 것으로 나타났다. 지난해 4분기 IMFT의 낸드플래시 점유율은 10.7%에 그쳤었다.

◇1분기 기업별 낸드플래시 매출순위 (단위:100만달러, %)  

출범한 ST마이크로-인텔 합작사로, 낸드플래시는 대부분 ST마이크로로부터 이관 받음.

하이닉스는 올 초 업계 최초로 40나노미터급(48나노) 공정을 낸드플래시 생산에 도입하고자 했던 일정이 차질을 빚으면서 매출 감소폭이 경쟁사 대비 높게 나타났다. 반면 IMFT는 미세공정 도입의 안정화 작업이 빠르게 진행되면서 매출을 늘릴 수 있었던 것.

하이닉스는 낸드플래시 매출 감소로 노어플래시를 합친 플래시메모리 시장 입지도 상당히 약화됐다.

아이서플라이에 따르면 지난해 4분기 플래시메모리 3위였던 하이닉스는 삼성전자(33.7%), 도시바(19.5%) 및 노어플래시 '강자' 스팬션(12.3%), 뉴모닉스(11.2%)에도 밀려 10.1% 점유율로 5위까지 쳐졌다.

단 하이닉스는 아직까지 D램을 합친 전체 메모리반도체 부문에선 삼성전자에 이어 2위 자리를 지키고 있는 것으로 나타났다.

증권가에선 D램과 낸드플래시를 중심으로 공격적인 영업에 나서고 있는 마이크론이 2008~2009년 IMFT를 기반으로 낸드플래시 및 메모리반도체 시장에서 하이닉스를 앞지를 수 있다는 분석이 나오고 있다.

하이닉스는 낸드플래시 48나노 공정 및 연말 도입할 41나노 공정의 안정화를 꾀하는 한편, 3분기 가동에 들어가는 M11 300㎜ 웨이퍼 공장의 가세로 점유율을 지킨다는 방침이다.

이런 가운데 삼성전자·도시바가 생산량 확충에 나서고 있고, IMFT는 하반기 34나노 공정 도입 및 신규 300㎜ 팹 가동에 들어갈 예정이다. 이에 따라 낸드플래시 시장상황과 맞물려 업체 간 매출 순위 다툼도 치열하게 전개될 전망이다.