SK하닉 'HBM' 보는 삼성 사장…에이직랜드의 TSMC 발언도 경청

[아이뉴스24 권서아 기자] 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 기술 수장들이 국내 최대 반도체 전시회에서 나란히 부스를 둘러본 가운데, 삼성전자 사장이 경쟁사의 고대역폭메모리(HBM) 전시물을 살펴보고 세계 1위 반도체 위탁생산(파운드리) 업체 대만 TSMC 공정 관련 설명에도 반응해 눈길을 끌었다.

송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장과 안현 SK하이닉스 개발총괄(CDO) 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)'에서 주요 기업 부스를 함께 둘러봤다. 송 사장은 SK하이닉스 부스에서 안 사장이 소개한 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 친필 서명이 담긴 HBM 구조 모형을 살펴보기도 했다.

이날 오후 2시20분부터 약 1시간 동안 진행된 주요 인사(VIP) 투어에는 이준석 개혁신당 의원(경기 화성을), 김형준 차세대지능형반도체사업단장, 안기현 한국반도체산업협회 전무 등도 동행했다. 참석자들은 삼성전자와 SK하이닉스, 엑시콘, 신성이엔지, 칩스앤미디어, 에이직랜드, 세메스, 미코 등 반도체 기업 8곳의 전시 부스를 둘러봤다.

송 사장은 국내 대표 디자인하우스인 에이직랜드 부스에서 TSMC 공정을 활용한 설계 사례에 대한 설명을 듣고 "저희가 더 잘하겠습니다"라고 말하기도 했다. 에이직랜드는 국내 유일의 TSMC 공식 VCA(Value Chain Alliance) 파트너로, 반도체 설계를 실제 생산으로 연결하는 디자인하우스다.

이에 앞서 이종민 에이직랜드 대표는 국내 팹리스(반도체 설계 전문기업)들이 주로 3~12나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정을 활용한다고 설명했다. 삼성전자 파운드리를 이용하는 경우도 있지만 일부 제품은 TSMC 공정이 필요하다는 것이다. 송 사장의 발언은 이 같은 설명 직후 나왔다.

삼성, GPU 위에 HBM 쌓는 'zHBM' 공개

삼성전자는 'AI 시스템 설계(Architecting AI Systems)'를 주제로 메모리와 시스템반도체, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 기술력을 강조했다.

대표 기술인 'zHBM'은 기존 HBM이 그래픽처리장치(GPU) 옆에 배치되는 것과 달리 연산장치 위에 메모리를 수직으로 쌓는 구조다. 삼성전자는 다음 세대 제품인 HBM4E(7세대) 대비 GPU당 성능 4~8배, 와트(W)당 성능 최대 3배 향상을 목표로 제시했다.

차세대 낸드플래시 'z낸드(NAND)-O'도 공개했다. 고집적 낸드와 3차원(3D) 패키징을 결합해 읽기 대역폭과 에너지 효율을 최대 7배 높이는 기술이다.

HBM4E도 국내에서 처음 선보였다. 6세대 10나노급(1c) D램 코어 다이와 4나노 로직(연산) 베이스 다이(칩)를 결합한 구조 모형을 전시했다. 파운드리 분야에서는 2나노 게이트올어라운드(GAA) 웨이퍼와 첨단 패키징 기술 등을 소개했다.

올해 신설한 '반도체 클러스터존'에서는 기흥·화성과 평택, 천안·온양 등 국내 생산·연구개발 거점과 약 360조원을 투입하는 용인 국가산업단지 조성 계획을 공개했다.

삼성전자는 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 하고 있다. 약 70개 소부장(소재·부품·장비) 및 팹리스 기업도 입주할 예정이다. 송 사장 등 VIP 투어 참석자들도 생산거점이 표시된 지도 앞에서 관련 설명을 들었다.

SK, 젠슨 황 친필 웨이퍼로 엔비디아 협력 강조

SK하이닉스는 '멈추지 않고 나아가는 AI 여정'을 주제로 붉은 육상 트랙 형태의 전시관을 꾸몄다. HBM2E(3세대)부터 HBM4E까지 세대별 제품을 전시하며 기술 발전 과정을 소개했다.

특히 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 친필 서명이 담긴 HBM4E 웨이퍼가 눈길을 끌었다. 웨이퍼에는 '제발 더 만들어줘(PLEASE MAKE MORE)'라는 문구가 적혀 있었다. 지난 6월 대만 컴퓨텍스 2026에서 남긴 메시지다.

엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 '베라 루빈'에 적용되는 현재 세대 제품 HBM4(6세대) 12단 36기가바이트(GB) 제품과 저전력 서버용 메모리 소캠(SOCAMM)2도 전시하며 양사의 협력 관계를 부각했다.

HBM 이후를 준비하는 기술로는 고대역폭플래시(HBF)를 내세웠다. 낸드플래시를 수직으로 쌓아 대용량 데이터를 빠르게 처리하는 메모리로, 동세대 HBM 대비 약 10배의 용량과 절반 수준의 대역폭 구현을 목표로 한다.

이날 안 사장이 젠슨 황의 친필 서명 웨이퍼를 소개하자 송 사장과 이준석 의원도 관련 전시물을 함께 살펴봤다. 송 사장은 SK하이닉스 측의 설명이 시작되자 "저는 오늘 산업협회장 입장으로 듣겠습니다"라고 말해 웃음을 자아내기도 했다.

앞서 오전 기조연설에 나선 안 사장은 AI 인프라 성능 규모가 2030년까지 올해 대비 약 20배 성장할 것으로 내다봤다. HBM을 넘어 HBF와 '3D 스택드(3차원 Stacked) D램' 등 새로운 메모리 계층을 구축할 필요성도 강조했다.

안 사장은 "HBM으로 다 채우지 못하는 대용량 임시 메모리(KV 캐시)를 HBF가 감당할 수 있을 것"이라고 말했다.

투어 마친 송재혁 "中 4F² 기술 개발 중"

한편 투어를 마친 송 사장은 세계 4위이자 중국 1위 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 차세대 D램 기술 '4F²(포에프스퀘어)'를 삼성전자도 개발하고 있느냐는 취재진 질문에 "그렇다"고 답했다. 개발 상황에 대해서는 "열심히 하고 있다"고 말했다.

4F²는 기존 주류인 6F²보다 D램 셀 면적을 줄여 집적도를 높이는 기술이다. CXMT가 해당 기술을 적용한 서버용 D램 출시 계획을 밝히면서 중국의 기술 추격에 대한 관심이 커지고 있다.

전날 삼성전자와 SK하이닉스 주가가 큰 폭으로 하락한 가운데 나온 발언이라는 점에서도 주목받았다. 중국 메모리 기업의 차세대 기술 개발 소식은 주가 하락 요인 중 하나로 거론됐다.

한국반도체산업협회가 주최하는 올해 반도체대전은 '실리콘 지능의 시대로'를 주제로 오는 16일까지 열린다. 반도체 소자와 소부장, 설계 등 300개 기업이 888개 부스 규모로 참가한 역대 최대 행사다.