[종합]엘피다, D램 수익성 3위 기록

일본 엘피다메모리가 지난 2분기 수익성 면에서 삼성전자, 하이닉스반도체에 이어 D램 기업 중 3위를 기록한 것으로 나타났다.

매출 기준 D램 업계 3위 경쟁을 하고 있는 일본 엘피다메모리는 지난 2분기(2008회계연도 1분기) 9억9천800만달러의 매출과 1억4천300만달러의 영업손실을 기록했다고 7일 발표했다. 이로써 엘피다는 -14.3%의 영업이익률로 경쟁사인 미국 마이크론테크놀로지와 독일 키몬다보다 양호한 수익성을 보였다.

엘피다는 한때 반도체 부문에서 국내 하이닉스보다 나은 수익성을 보이기도 했지만, 지난 2분기엔 모바일 D램 등 고부가가치 제품의 가격 급락과 함께 하이닉스보다 손실률이 확대된 것으로 나타났다.

엘피다는 반도체 부문 전체 매출에서 D램과 함께 낸드플래시메모리 및 시스템반도체 사업을 함께 영위하는 삼성전자, 하이닉스, 미국 마이크론테크놀로지에 이어 4위를 기록했다. 특히 D램 3위 경쟁을 벌였던 독일 키몬다와 분기 매출 격차를 4억달러 이상으로 벌린 것이 눈길을 끈다.

◆범용D램 비중 ↑…50나노 공정 내년 1분기 적용

엘피다는 그동안 모바일 D램을 비롯한 고부가가치 제품 비중을 50% 이상으로 유지하면서 수익성을 높였다. 그러나 올해 들어 하이닉스반도체 등이 고부가가치 D램 시장에 적극 진출하면서 범용 D램과 함께 모바일·그래픽·서버·소비가전용 D램도 2분기 가격이 적잖이 떨어진 것으로 나타났다. 엘피다는 2분기 고부가가치 D램의 비중을 42%까지 낮추고, 가격이 반등한 범용 D램 비중을 높이는 식으로 대응했다.

회사 측은 지난 1월부터 양산에 적용한 65나노미터 공정의 수율을 끌어올리는 한편, 내년 1분기 중 50나노 공정을 적용하며 가격경쟁력 확보에 나선다는 방침이다. D램 수익성 1~2위인 삼성전자와 하이닉스는 올해 상반기부터 50나노급 공정을 적용해 D램을 양산하면서 원가절감에 나서고 있다.

◆중국에 300㎜팹 신설…사업다각화도 나서

엘피다는 또 중국 SVG, SIPAC 등과 공동으로 현지 쑤저우에 300㎜ 웨이퍼 공장을 건설하며 중국 시장 공략에 나설 계획이라고 밝혔다. 투자비용은 SVG가 4억4천만달러(61%), 엘피다가 2억8천만달러(39%)를 투입하며, 생산하는 D램 물량은 100% 엘피다가 가져가는 구도를 취하기로 했다. 중국 공장의 가동 시기는 오는 2010년이며, 웨이퍼 생산량은 월 4만~8만장 수준을 확보할 예정이다.

이와 함께 엘피다는 최근 뉴모닉스와 노어플래시메모리 위탁생산(파운드리) 계약을 맺는가 하면, NEC와 액정표시장치(LCD) 구동칩 생산을 위한 합작법인을 설립키로 하는 등 사업 확장에 나서고 있다.

회사 측은 "하반기 PC 수요확대와 200㎜(8인치) 웨이퍼 팹의 퇴출, 후발 경쟁사들과 기술격차 확대 등 긍정적인 요인이 많으나, D램 가격하락과 시장의 재고 증가 등 부정적인 요인도 상존하고 있다"며 산업의 움직임을 쉽게 예측하기 어렵다는 입장을 보였다.