ST마이크로-IBM, 반도체 공정기술 개발 협약

ST마이크로일렉트로닉스와 IBM은 반도체 개발 및 제조에 사용되는 차세대 공정기술 개발에 관한 협약을 맺었다고 26일 발표했다.

이번 협약은 32나노 및 22나노 시모스(CMOS) 공정기술 개발, 300㎜ 웨이퍼 공정에 적합한 첨단연구 작업 등 부분에서 협력한다는 내용을 담고 있다. 두 회사는 코어벌크 시모스 기술 및 파생 시스템 온 칩(SoC) 기술에 대해서도 공동개발에 나설 계획이다.

ST마이크로와 IBM은 상대기업 시설에 기술개발팀을 파견한다. ST마이크로는 벌크 시모스 개발을 위해 미국 뉴욕 이스트피시킬 및 올버니에 위치한 IBM의 반도체 연구개발 센터에 연구개발팀을 보낼 예정이다. IBM은 프랑스 크롤에 있는 ST마이크로의 300㎜ 웨이퍼 반도체 연구개발 및 공정 시설에 인력을 파견하게 된다.

두 회사는 임베디드 메모리 및 아날로그·무선주파수(RF) 등 다양한 고부가가치 파생기술을 개발한다는 계획이다. 공동으로 개발한 기술은 ST마이크로의 300㎜ 웨이퍼 반도체 공정시설(프랑스 크롤)과 IBM이 포함된 공동플랫폼 제조사들의 300㎜ 시설에서 양산할 예정이다.

IBM리서치의 존 켈리 이사는 "IBM의 기술 연합체에 ST마이크로가 합류함으로써, 첨단 반도체 기술의 개발을 앞당길 수 있게 됐다"며 "각사의 전문성을 활용한 협력 작업으로 공정기술 개발이 강화되고, 이에 대한 혜택을 고객들이 곧 누릴 수 있게 될 것"이라고 말했다.