삼성전자, SEDEX서 용인 반도체 청사진 공개…HBM4E도 선봬

[아이뉴스24 권서아 기자] 삼성전자가 국내 최대 반도체 전문 전시회에서 용인 반도체 국가산업단지 조성 계획을 소개하고 차세대 고대역폭 메모리(HBM)와 첨단 패키징 기술을 선보인다.

삼성전자는 14~16일 서울 강남구 코엑스에서 열리는 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)'에 참가한다고 밝혔다. 올해는 'AI 시스템 설계(Architecting AI Systems)'를 주제로 △차세대 기술 △클라우드 인공지능(AI) △엣지 AI △피지컬 AI △반도체 클러스터 △상생협력 등 6개 전시존을 운영한다.

용인 국가산단 2029년 첫 가동…소부장·팹리스 70개사 입주

삼성전자는 올해 처음 마련한 '반도체 클러스터존'에서 주요 반도체 생산·연구개발 거점과 용인 국가산단 조성 계획을 소개한다.

용인 국가산단에는 약 360조원을 투자한다. 내년 부지 조성과 착공을 시작해 2029년 10월 첫 생산라인을 가동하는 것이 목표다.

산단에는 약 70개 소재·부품·장비(소부장) 및 팹리스(반도체 설계 전문기업) 기업이 입주할 예정이다. 삼성전자는 반도체 제조시설과 연구개발 거점, 협력사가 한곳에 모이는 산업 생태계를 구축한다는 구상이다.

산단 조성에 맞춰 도로와 교통, 주거시설 등 생활 인프라도 확충될 것으로 기대된다. 삼성전자는 지난 3일 '용인 사이버 과학축제'에서 지역 주민들에게 국가산단의 미래 모습과 수자원 관리 방안 등을 소개한 바 있다.

HBM4E·2나노 웨이퍼 전시…AI 반도체 기술력 강조

삼성전자는 메모리와 로직 설계, 파운드리(반도체 위탁생산), 첨단 패키징을 아우르는 반도체 솔루션도 공개한다.

메모리 분야에서는 다음 세대 제품인 'HBM4E(7세대)'와 메모리 내부에 연산 기능을 통합한 '저전력 D램(LPDDR)-연산가능메모리(PIM)'를 전시한다.

연산 장치와 메모리 사이의 물리적 거리를 줄이는 3차원(3D) 메모리 구조의 'zHBM'과 엣지 AI용 3D 낸드플래시 솔루션 'zNAND-O'는 모형으로 선보인다.

파운드리 분야에서는 4나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정으로 제작한 HBM4E 베이스다이(HBM 맨 아래층)와 2나노 게이트올어라운드(GAA) 공정 웨이퍼를 전시한다. 실리콘 브릿지(다리) 기반의 첨단 패키징 기술 '2.3차원(2.3D) Cube-E'와 3D 패키징 기술 '3D Cube-H'도 소개한다.

전기 신호를 광신호로 바꿔 데이터를 전송하는 공동 패키징 광학(CPO) 기반 광 인터커넥트 모형도 공개한다.

시스템설계(LSI) 분야에서는 서버용 메모리 모듈의 안정적인 작동을 지원하는 'DIMM Solution'과 2억 화소 이미지센서 '아이소셀 고성능 컴퓨팅(HPC)', 모바일 애플리케이션프로세서(AP) '엑시노스 2600' 등을 선보인다.

'상생협력존'에서는 협력사 지원 프로그램과 동반성장 성과를 소개한다. 삼성전자는 1981년 협력사 협의체인 '협성회'를 창립한 이후 자금·기술·인력·교육 등 다양한 분야에서 협력사를 지원해 왔다.

지난해 동반성장위원회의 '2025년도 동반성장지수 평가'에서는 최우수 등급을 받았다. 평가 도입 이후 14년 연속 최우수 등급을 획득한 기업은 삼성전자가 유일하다.

협력사 임직원을 위한 행사도 마련했다. 이달부터 두 달간 주요 협력사 근무 현장에 커피차를 제공하는 '상생 카페'를 운영한다. 오는 12월에는 협력사 직원과 가족 약 3만명을 대상으로 '무비 데이'를 진행할 예정이다.

한편 SEDEX는 한국반도체산업협회가 주관하는 국내 최대 반도체 전문 전시회다. 올해는 메모리와 시스템반도체, 소부장 등 반도체 산업 전반에 걸쳐 300여개 기업이 참가한다. 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문은 2012년부터 매년 이 행사에 참가하고 있다.