中 CXMT, 서버 D램 연내 출시 예고…삼성·SK하이닉스에 도전

[아이뉴스24 권서아 기자] 중국 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 기술을 적용한 서버용 제품을 연내 출시하겠다고 밝히면서 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하는 서버 메모리 시장으로 사업 확대에 나섰다.

12일 중국 제일재경과 과창판일보 등에 따르면 차오칸위 CXMT 총재는 지난 10일 상하이에서 열린 '제4회 집적회로·칩렛 대회'에서 차세대 D램 구조인 '4F²(4에프제곱)' 기술 개발 성과를 공개했다. 이를 적용한 서버용 메모리 제품 'DDR5 RDIMM'을 올해 말까지 출시할 계획이다.

4F²는 D램의 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀의 면적을 줄이는 기술이다. 반도체 공정에서 구현할 수 있는 최소 선폭을 뜻하는 'F'를 기준으로 셀 하나가 차지하는 면적을 나타낸다.

현재 D램 업계에서 주로 사용하는 6F² 구조와 비교하면 동일한 선폭 기준 셀 면적을 약 33% 줄일 수 있다. 같은 크기의 칩에 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 집적도를 높이는 데 유리하다.

CXMT는 자체 개발한 수직형 트랜지스터인 '수직서라운드게이트(VSG)' 기술을 활용했다고 설명했다. 트랜지스터의 채널을 게이트가 수직으로 둘러싸는 구조로, 셀 면적을 줄이면서 발생할 수 있는 누설 전류 문제를 개선하는 방식이다. 회사 측은 4F² 관련 공개 특허군도 300건 이상 확보했다고 밝혔다.

이번 발표는 CXMT가 고부가가치 서버용 메모리 사업을 확대하려는 움직임이라는 점에서 주목된다. 그동안 CXMT는 스마트폰과 소비자용 전자기기에 사용되는 D램을 중심으로 사업을 키워왔다.

DDR5 RDIMM은 데이터센터와 기업용 서버에 사용되는 메모리 모듈이다. 서버가 장시간 작동하는 환경에 맞춰 높은 신뢰성과 안정성이 요구된다. 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론이 주요 공급업체로 자리 잡고 있다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 글로벌 D램 매출 점유율은 삼성전자가 39.4%로 1위를 차지했다. SK하이닉스와 마이크론은 각각 24.9%, 23.3%를 기록했다. CXMT는 9.5%로 4위에 올랐다.

다만 4F² 기술은 국내 업체들도 개발하고 있는 분야다. 삼성전자는 지난 2월 국제고체회로학회(ISSCC 2026)에서 4F² 구조와 웨이퍼 간 하이브리드 본딩을 적용한 16기가비트(Gb) D램 시제품 연구 결과를 발표했다.

하이브리드 본딩은 서로 다른 웨이퍼를 직접 접합하는 기술이다. D램 셀과 주변 회로를 나눠 제작한 뒤 연결해 집적도를 높일 수 있다. 삼성전자는 시제품에서 데이터 읽기와 쓰기 동작을 구현했다.

SK하이닉스도 지난해 6월 국제반도체회로학술대회(VLSI 2025)에서 4F² 수직 게이트(VG) 구조와 3차원(3D) D램을 차세대 기술 방향으로 제시했다. 기존 D램의 미세화 한계를 극복하기 위해 셀 구조와 소재, 제조 공정을 개선한다는 구상이다.

다만 CXMT가 연내 제품을 출시하더라도 실제 대규모 양산과 고객사 공급까지 이어질지는 지켜봐야 한다. 새로운 셀 구조를 적용하는 만큼 수율(정상품 비율)을 확보해야 하고, 서버용 제품에 필요한 신뢰성과 호환성 검증도 거쳐야 한다.